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大功率全方位反射鏡發光二極管性能研究
目前大功率LED光提取效率比較低的一個重要原因是LED 襯底的厚度比較大，很大一部分有源區發射的光入射到襯底層被襯底和電極等材料吸收，從而大大降低光的提取效率，進而影響出光，為了改善這一缺陷，近幾年利用全方位反射鏡 ( omnidirectional reflector，ODR) 將有源區發出的射向襯底的光反射出去...
2011-08-19
反射鏡 發光二極管 大功率LED 串聯電阻
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基于軟開關的電子輻照高壓電源設計
在食品加工過程中采用電子輻照技術，可以提高食品的安全性。加速管作為離子束加速器件，在電子輻照工程裝置中是關鍵設備。為了滿足不同輻照物體的輻照計量要求，需要電子槍高壓電源可以連續可調。本文介紹一種實用化的具有良好特性的電子槍直流高壓電源的設計。
2011-08-19
高壓電源 軟開關 電子輻照 電子槍
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晶體管也玩立體化 Intel Ivy Bridge前景樂觀
今年年初，Intel正式發布了SandyBridge架構，從筆記本、臺式機到服務器都一應俱全，幾個月內SnB大潮就已經席卷了整個市場。如今在桌面平臺方面，已經更新到第二代Z68等芯片組了，推陳出新速度非常之快。
2011-08-18
Intel 晶體管 筆記本 臺式機
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高性能三元材料動力鋰電池即將國產
近日，由上?？托履茉从邢薰旧a的高性能三元材料動力鋰電池在北京亮相。據悉，該鋰電池是引進日本技術生產的，將于今年年底投放國內市場。
2011-08-18
卡耐新能源 鋰電池 新能源 動力電池
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薄膜電池具成本優勢 或搶占更多裝機份額
市場期待已久的光伏電價終于出臺，國家發改委8月1日下發通知，對非招標太陽能光伏發電項目實行全國統一的標桿上網電價。但事實上，目前國內光伏發電成本仍在1元以上，只有少數薄膜電池企業能承受1元/千瓦時以下的上網電價。有分析認為，因為價格上的優勢，所以可能對投資規模和成本較低的薄膜電池更...
2011-08-18
光伏電 太陽能 電價 晶體硅電池
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SiB437EDKT：Vishay推出微型低導通電阻功率MOSFET用于便攜設備
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發布占位面積為1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一能在1.2V下導通的此類器件。
2011-08-18
SiB437EDKT Vishay 功率MOSFET
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開關電源測試方案
開關電源因其效率高，體積小而被電子企業廣泛應用，以下是自己在工作中總結出來的測試方法和測試項目，在電源設計時若能充分考慮到這些方面，那么其產品將會被越來越多的客戶所使用。
2011-08-18
開關 電源測試 電壓 額定負載
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電源設計中的電容應用實例
這里，只介紹一下電路板電源設計中的電容使用情況。這往往又是電源設計中最容易被忽略的地方。很多人搞ARM，搞DSP，搞FPGA，乍一看似乎搞的很高深，但未必有能力為自己的系統提供一套廉價可靠的電源方案。這也是我們國產電子產品功能豐富而性能差的一個主要原因，根源是研發風氣吧，大多研發工程師...
2011-08-17
電容應用實例 電容應用 電源設計
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PBSM5240PF：恩智浦推出超緊湊型中等功率晶體管用于便攜設備
恩智浦半導體NXP日前宣布推出采用DFN2020-6 無鉛塑料封裝的超緊湊型中等功率晶體管和N溝道Trench MOSFET產品PBSM5240PF。DFN2020-6無鉛塑料封裝占位面積僅有2 x 2 mm，高度僅為0.65 mm，專門針對諸如移動設備等高性能消費產品的小型化發展趨勢而設計。
2011-08-17
PBSM5240PF 恩智浦半導體 NXP 晶體管
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