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醫(yī)療應(yīng)用的3D電源封裝DC/DC轉(zhuǎn)換器
具有醫(yī)療級(jí)隔離的DC/DC轉(zhuǎn)換器可與AC/DC電源或電池供電設(shè)備結(jié)合使用，不僅降低醫(yī)療應(yīng)用中的終端產(chǎn)品成本，還能滿足最高等級(jí)的安全標(biāo)準(zhǔn)。
2022-02-14
醫(yī)療應(yīng)用 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
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功率半導(dǎo)體電流額定值和熱設(shè)計(jì)
電流額定值相關(guān)的溫度可能與實(shí)際工作條件有關(guān)，也可能無(wú)關(guān)。如果有關(guān)，電流額定值可用于指示實(shí)際應(yīng)用中器件的電流能力。如果器件的額定值是在典型工作環(huán)境（如25oC）不會(huì)遇到的溫度時(shí)得出的值，它就無(wú)法提供應(yīng)用中實(shí)際器件能力的信息。該值只能用來(lái)比較相似器件在相同溫度時(shí)的電流額定值
2022-02-14
功率半導(dǎo)體 電流額定值 熱設(shè)計(jì)
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ROHM確立了可更大程度追求電源IC響應(yīng)性能的創(chuàng)新電源技術(shù)“QuiCurTM”
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）確立了一種新電源技術(shù)“QuiCurTM”，可改善包括DC/DC轉(zhuǎn)換器IC在內(nèi)的各種電源IC的負(fù)載響應(yīng)特性*1（以下稱(chēng)為“響應(yīng)性能”，指后級(jí)電路工作時(shí)的響應(yīng)速度和電壓穩(wěn)定性）。
2022-02-14
ROHM確立了可更大程度追求電源IC響應(yīng)性能的創(chuàng)新電源技術(shù)“QuiCurTM”
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SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作
MOSFET和IGBT等電源開(kāi)關(guān)元器件被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線路中。另外，所使用的電路方式也多種多樣，除單獨(dú)使用外，還有串聯(lián)連接、并聯(lián)連接等多種使用方法。
2022-02-11
SiC MOSFET 橋式結(jié)構(gòu)中柵極 源極間電壓
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更高、更快伴生更強(qiáng)要求，迎接DDR5內(nèi)存驗(yàn)證和調(diào)試挑戰(zhàn)
世界正在經(jīng)歷一個(gè)前所未有的時(shí)代，數(shù)據(jù)呈爆發(fā)增長(zhǎng)之勢(shì)，隨著新技術(shù)在更廣泛的范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)，這一趨勢(shì)預(yù)計(jì)將進(jìn)一步加快。典型的實(shí)例包括：5G形式的下一代無(wú)線通信，領(lǐng)域不斷擴(kuò)展的人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、加密貨幣、虛擬現(xiàn)實(shí)，甚至汽車(chē)等諸多領(lǐng)域。
2022-02-11
DDR5內(nèi)存
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第十屆中國(guó)（西部）電子信息博覽會(huì)西部電子信息十周年獻(xiàn)禮
2020年5月，中共中央、國(guó)務(wù)院推出《關(guān)于新時(shí)代推進(jìn)西部大開(kāi)發(fā)形成新格局的指導(dǎo)意見(jiàn)》，這是西部大開(kāi)發(fā)20周年之際，對(duì)西部大開(kāi)發(fā)的又一次巨大利好。全球視野下，西部大開(kāi)發(fā)迎來(lái)升級(jí)版。四川經(jīng)濟(jì)突飛猛進(jìn)。其裝備制造、航天科技等產(chǎn)業(yè)在國(guó)內(nèi)處于領(lǐng)先地位，也是全國(guó)重要的基礎(chǔ)電子裝備基地。
2022-02-11
化學(xué)工藝 中國(guó)（西部）電子信息博覽會(huì)
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一文弄懂IGBT驅(qū)動(dòng)
要了解什么是IGBT驅(qū)動(dòng)，首先你需要了解什么是IGBT。我們都知道，電機(jī)驅(qū)動(dòng)是IGBT的主要應(yīng)用領(lǐng)域之一。
2022-02-11
IGBT驅(qū)動(dòng)
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