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采用高性能DAC的RF直接變頻發(fā)送器設(shè)計
無線電發(fā)射器逐步從簡單中頻發(fā)射架構(gòu)過渡到正交中頻發(fā)送器、零中頻發(fā)送器，但這些架構(gòu)仍然存在局限性。本文介紹的基于RF DAC的發(fā)送器具有遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出傳統(tǒng)架構(gòu)的發(fā)射帶寬，而且不會損失動態(tài)性能，與傳統(tǒng)技術(shù)相比具有明顯優(yōu)勢。
2013-07-24
發(fā)送器 RF RF DAC 發(fā)射器
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便攜式設(shè)備的系統(tǒng)復(fù)位設(shè)計需注意的五大關(guān)鍵
隨著封閉式電池的廣泛采用，許多廠商開始采用按鈕復(fù)位集成電路來啟動系統(tǒng)復(fù)位。但隨著移動設(shè)備系統(tǒng)與軟件復(fù)雜性的增加，系統(tǒng)死機或反應(yīng)遲鈍的可能性也在增加。這就需要一種方法能夠提供系統(tǒng)復(fù)位，還能防止意外復(fù)位。
2013-07-24
按鈕復(fù)位 復(fù)位 集成電路 電池
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TDK新型0603尺寸電感器，實現(xiàn)行業(yè)最高水平的35Q特性
日前，TDK開發(fā)出積層工法高頻電路用電感器MHQ0603P系列，在1GHz時Q特性提升至了35（電感值為3.9nH的情況），與以往產(chǎn)品相比Q特性提高了25％，體積減小26％，封裝面積減小38％。
2013-07-23
電感器 TDK MHQ0603P
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富士通推出耐壓150V的GaN功率器件產(chǎn)品，品質(zhì)因數(shù)降半
富士通半導(dǎo)體日前宣布，推出可耐壓150 V的基于硅襯底的氮化鎵(GaN)功率器件芯片MB51T008A。該產(chǎn)品初始狀態(tài)是斷開(Normally-off)，相比于同等耐壓規(guī)格的硅功率器件，品質(zhì)因數(shù)(FOM)可降低近一半。基于富士通新型GaN功率器件，用戶可以設(shè)計出體積更小，效率更高的電源組件。
2013-07-23
富士通 功率器件 GaN功率器件 150VGaN功率器件
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IR推出5引腳SOT-23封裝業(yè)內(nèi)最小PFC升壓IC ，大減器件數(shù)
國際整流器公司 (IR) 推出采用5引腳SOT-23封裝的業(yè)內(nèi)最小功率因數(shù)校正 (PFC) 升壓IC——IRS2505LTRPBF，只需5個引腳就可部署PFC控制器，從而大幅減少整體系統(tǒng)尺寸、器件數(shù)量及系統(tǒng)成本。
2013-07-23
IR 升壓IC 小PFC升壓IC 國際整流器
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Aptina新款1300萬像素智能手機圖像傳感器實現(xiàn)業(yè)界重大飛躍
分辨率的大幅提高需要傳感器設(shè)計師將像素從1.4微米(μm)縮小到1.1μm，這樣會大大降低像素性能。現(xiàn)在，Aptina已通過其突破性的Clarity+技術(shù)化解了這一難題，將像素靈敏度提高了兩倍，同時不會生成對其他傳感器制造商的類似方案產(chǎn)生限制的圖像偽影。
2013-07-23
Aptina 智能手機 傳感器 圖像傳感器
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Avago的SerDes性能在28nm CMOS工藝達(dá)32Gbps
Avago 宣布其28nm串行/解串器(SerDes)核心已經(jīng)達(dá)到32Gbps的性能，并且可以承受高達(dá)40dB的通道損耗，這個最新的SerDes核心重新定義了芯片到芯片、連接端口和背板等接口可達(dá)到的數(shù)據(jù)率。
2013-07-23
Avago SerDes ASIC ASSP 串行/解串器
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