【導(dǎo)讀】隨著人工智能技術(shù)在終端設(shè)備上的快速普及，高性能、低功耗的存儲(chǔ)解決方案成為行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)的新焦點(diǎn)。2026年2月，存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域迎來(lái)重要進(jìn)展——SK海力士率先公布了其新一代LPDDR6內(nèi)存模塊的詳細(xì)規(guī)格，以14.4Gbps的傳輸速率刷新了當(dāng)前LPDDR6產(chǎn)品的性能紀(jì)錄。與此同時(shí)，三星也在加速推進(jìn)自身LPDDR6產(chǎn)品線的布局，兩大存儲(chǔ)巨頭的技術(shù)角逐標(biāo)志著端側(cè)AI存儲(chǔ)市場(chǎng)正進(jìn)入新一輪競(jìng)速階段。
該模塊基于1cnm DRAM制造工藝，單顆容量為16Gb，傳輸速率達(dá)到14.4Gbps，已觸及現(xiàn)階段JEDEC標(biāo)準(zhǔn)上限，是目前公開規(guī)格中最快的LPDDR6產(chǎn)品。
作為面向端側(cè)AI場(chǎng)景深度優(yōu)化的通用存儲(chǔ)器，其在數(shù)據(jù)處理速度和能效方面較前代均有顯著提升。
與此同時(shí)，三星也在持續(xù)推進(jìn)LPDDR6的布局。繼此前發(fā)布基于12nm工藝、速率10.7Gbps的版本后，三星正加速追趕，目前已規(guī)劃速率12.8Gbps、同樣16Gb容量的LPDDR6模塊。
由于制造制程相對(duì)落后，該方案芯片面積略大于SK海力士產(chǎn)品。三星方面仍在進(jìn)行后續(xù)優(yōu)化，目標(biāo)將速率進(jìn)一步提升至14Gbps，屆時(shí)將與SK海力士當(dāng)前水平基本持平。
總結(jié)
SK海力士憑借1cnm先進(jìn)制程工藝在LPDDR6賽道上暫時(shí)領(lǐng)先，其14.4Gbps的傳輸速率已觸及JEDEC標(biāo)準(zhǔn)上限，為端側(cè)AI應(yīng)用提供了更強(qiáng)的性能支撐。三星雖在制程上略有差距，但正通過(guò)持續(xù)優(yōu)化向14Gbps目標(biāo)邁進(jìn)，競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)日趨激烈。隨著兩家廠商的技術(shù)迭代加速，LPDDR6內(nèi)存將在數(shù)據(jù)處理速度與能效比上持續(xù)突破，為智能手機(jī)、邊緣計(jì)算設(shè)備等終端AI場(chǎng)景帶來(lái)更優(yōu)質(zhì)的存儲(chǔ)體驗(yàn)，同時(shí)也將推動(dòng)整個(gè)移動(dòng)存儲(chǔ)行業(yè)向更高性能標(biāo)準(zhǔn)演進(jìn)。
