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纖巧4A降壓型μModule穩壓器LTM4624占板面積不足1cm2
凌力爾特推出纖巧4A降壓型μModule穩壓器LTM4624，完整解決方案的占板面積不足1cm2。LTM4624 可在4V至14V的輸入電壓范圍內運作，提供一個0.6V至5.5V的可調輸出，非常適合通信、存儲、工業和醫療系統等應用。
2013-08-21
Linear μModule 穩壓器 LTM4624
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美高森美推出新一代大功率高性能650V NPT IGBT
近日，美高森美推出新一代大功率高性能650V NPT IGBT，快速高效的40A、70A和95A晶體管提供業界最佳的開關損耗性能。專為嚴苛環境工作而設計，尤其適用于太陽能逆變器、焊接機和開關電源等工業產品。
2013-08-21
美高森美 NPT IGBT IGBT
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SynQor新型半磚瞬態EMI濾波器，差模干擾衰減能力超80dB
SynQor發布新產品MiL-COTS半磚瞬態EMI濾波器，這些新型瞬態EMI濾波器適用于廣泛的軍事標準，在惡劣環境下有很強的適應能力，比如有超過80dB的差模干擾衰減能力和在250kHz時有36dB的共模干擾衰減能力，且直流電阻小，還有一個用于穩定大電容系統的電阻。
2013-08-21
EMI濾波器 濾波器 瞬態EMI濾波器 SynQor
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安捷倫教你：輕松應對多標準無線電基站發射機測試挑戰
在下一代基站發射機和接收機中，GSM、W-CDMA 和 LTE 多載波可以同時從一個多標準無線電基站單元進行傳輸，但采用多標準無線電多載波配置使得對多標準無線電基站發射機進行測試面臨巨大的挑戰。為確保多標準無線電基站的順利部署，有必要通過一種快速、高效的途徑來應對測量挑戰。
2013-08-21
基站發射機測試 基站發射機 多標準無線電基站 安捷倫 LTE
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原創深挖：各種開關電源功率MOSFET損壞的原因和形態
工程師們將損壞的功率MOSFET送到半導體原廠做失效分析后，得到的結論通常是過電性應力EOS，卻無法判斷是什么原因導致MOSFET的損壞。功率MOSFET損壞有哪些原因和形態？一牛人拍下了功率MOSFET不同損壞形態的失效分析圖片，結合功率MOSFET管的工作特性，系統的分析開關電源功率MOSFET各種損壞模式，還...
2013-08-21
開關電源 功率MOSFET MOSFET MOSFET損壞
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TDK新型應答器線圈，體積更小電感值更高
近日，TDK開發出尺寸僅7.85×2.70×2.70mm應答器線圈， 新型應答器線圈通過采用TDK獨有的結構設計以及在材料技術方面培養的鐵氧體作為磁性材料，實現了較以往產品相比更加小型化、電感值更高的特點。該產品將作為汽車的胎壓監測系統用天線線圈。
2013-08-21
TDK 電感器 應答器 應答器線圈
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IGBT驅動和保護電路的應用設計
IGBT的驅動和保護電路是電路設計的難點和重點，是整個裝置運行的關鍵環節。本文設計了一個驅動電路，可驅動l700v，200～300A的IGBT。硬件上實現了對兩個IGBT的互鎖，并設計了可以直接給兩個IGBT供電的驅動電源。
2013-08-21
IGBT 驅動 驅動電路
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