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下一代PFC解決方案:用GaN重新考慮功率密度
電力電子世界在1959年取得突破,當時Dawon Kahng和MarTIn Atalla在貝爾實驗室發明了金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。首款商業MOSFET在五年后發布生產,從那時起,幾代MOSFET晶體管使電源設計人員實現了雙極性早期產品不可能實現的性能和密度級別。
2017-06-13
氮化鎵 功率密度
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如何讓IoT應用從芯片自我學習中受益
比利時研究機構Imec認為,相較于使用神經網絡,基于電阻和磁內存單元數組的機器學習加速器更有助于降低成本和功耗。例如,在其最初的研究結果顯示,磁阻式隨機存取內存(MRAM)數組可讓功率降低兩個數量級。
2017-06-13
芯片 IoT應用
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改進型OTA模型優化反饋補償網絡設計
運算跨導放大器(OTA)產生跟差分輸入電壓成正比的電流源輸出。為了在OTA中提供強固的靜電放電(ESD)保護性能,OTA輸出與封裝引腳輸出之間的裸片上應用了限流串聯保護電阻(RESD)及電壓鉗位。器件制造商將ESD保護電阻的影響忽略不計,在數據表中沒有介紹其參數。
2017-06-13
OTA模型 化反饋補償網絡 設計
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減小隔離式同步柵極驅動器的尺寸并降低復雜性
帶同步整流功能的隔離式DC-DC轉換器的傳統設計方法是使用光耦合器或脈沖變壓器進行隔離,并將其與一個柵極驅動器IC結合在一起。本文將說明光耦合器和脈沖變壓器的局限性,并提出一種集成度更高的方法,其性能更高,解決方案尺寸和成本則低得多。
2017-06-13
隔離式 同步柵極驅動器 光耦合器
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高速模數轉換器(ADC)的INL/DNL測量
盡管積分非線性和微分非線性不是高速、高動態性能數據轉換器最重要的參數,但在高分辨率成像應用中卻具有重要意義。本文簡要回顧了這兩個參數的定義,并給出了兩種不同但常用的測量高速模數轉換器(ADC)的INL/DNL的方法。
2017-06-12
模數 轉換器 AD INL DNL
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集成基站混頻器本振噪聲的規格與測量
集成混頻器內部的本振(LO)驅動器/緩沖器會增加本振殘余相噪,強射頻信號與本振噪聲發生倒易混頻會降低接收靈敏度。定義并評估集成混頻器本振噪聲的劣化能夠幫助系統設計人員計算接收機靈敏度的降低。
2017-06-12
本振 基站 接收器 噪聲系數 混頻器
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合金類材料儲鋰能力衰減的更深層原因
之前對于合金化儲鋰材料(硅基、錫基)容量降低、循環性變差的解釋一般都是:材料嵌鋰后體積膨脹巨大,如此往復,活性涂層從集流體表面脫落。也正是如此,電極表面SEI膜不斷進行修復,消耗電解質。另外,還有一部分鋰合金化后已經難以脫出,被宿主長期俘獲。
2017-06-12
合金類材料 儲鋰能力 衰減
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