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PHEV大功率離線式電池充電器設(shè)計挑戰(zhàn)和解決對策
隨著汽車制造廠商對下一代電池管理和充電系統(tǒng)要求的確定，半導(dǎo)體公司正在推進預(yù)期能夠滿足這些要求的產(chǎn)品開發(fā)進程。TI電源系統(tǒng)工程師John Rice將討論與插電式混合動力汽車(PHEV)中的大功率、離線式電池充電器開發(fā)相關(guān)的設(shè)計要求、架構(gòu)及挑戰(zhàn)，并舉例說明為何要為這類應(yīng)用創(chuàng)建數(shù)字電源架構(gòu)。
2012-05-08
TI PHEV 電池管理 BMS 數(shù)字電源控制 HEV
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尋求電池與充電管理中的最佳平衡點
便攜式電子設(shè)備設(shè)計人員可以選擇各種各樣的化學(xué)技術(shù)、充電器拓撲以及充電管理解決方案。選擇一款最為合適的解決方案應(yīng)該是一項很簡單的工作，但是在大多數(shù)情況下這一過程頗為復(fù)雜。設(shè)計人員需要在性能、成本、外形尺寸以及其他關(guān)鍵要求方面找到一個最佳平衡點。本文將為廣大設(shè)計人員和系統(tǒng)工程師提...
2012-05-08
電池 充電管理
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500W微網(wǎng)逆變器系統(tǒng)設(shè)計
本文在充分分析近年來光伏發(fā)電領(lǐng)域重要研究成果的基礎(chǔ)上，設(shè)計了一套三相光伏發(fā)電并網(wǎng)系統(tǒng)，對系統(tǒng)的拓撲結(jié)構(gòu)、控制電路給出了詳細的設(shè)計要點。以DSP TMS320F2812 為控制核心，實現(xiàn)了電路保護、數(shù)據(jù)采集、參數(shù)設(shè)置等功能，為各種光伏并網(wǎng)控制算法提供了靈活可靠的硬件平臺。在軟件方面介紹了SPWM 的...
2012-05-07
太陽能 光伏并網(wǎng) 最大功率跟蹤(MPPT) DSP 孤島效應(yīng)
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如何用智能MOSFET提升醫(yī)療設(shè)計可靠性及性能？
所有關(guān)于醫(yī)療應(yīng)用的產(chǎn)品在要求高可靠性的同時，仍然需要提供終端用戶想要的新技術(shù)與功能。由于各醫(yī)療設(shè)備公司及其最終應(yīng)用間的競爭愈來愈激烈，功能急劇增加，但是并未考慮到另外一個可能帶來產(chǎn)品失敗的因素。所有這些因素都與電源有關(guān)，而且重要的是我們需要採用最新的技術(shù)來使風(fēng)險最小化。
2012-05-07
智能MOSFET 醫(yī)療設(shè)計
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應(yīng)對高能效挑戰(zhàn)的安森美半導(dǎo)體創(chuàng)新PFC方案
如今，電源設(shè)計人員面臨著諸多挑戰(zhàn)，既要達到更高的能效目標，又要滿足加快產(chǎn)品上市的要求。就實現(xiàn)更高能效目標而言，電源設(shè)計不僅要顧及滿載能效，而且需要評估10%、20%、50%及75%負載等條件下的能效。電源設(shè)計人員還要面對其它不少挑戰(zhàn)如新電源可能更易于滋生可聽噪聲、須增強可靠性及安全性及加...
2012-05-07
死區(qū)時間 跳周期模式 控制頻率
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第一講：逆變器基礎(chǔ)知識大收羅
逆變器（Inverter，逆向變壓器件）是一種直流到交流（DC to AC）的變壓器，可將可變直流輸出轉(zhuǎn)換成清潔220V正弦 50Hz 或 其他類型交流電，可用于各類設(shè)備，最大限度地滿足移動供電場所或無電地區(qū)用戶對交流電源的需要。廣泛用在通訊、工業(yè)設(shè)備、衛(wèi)星通信設(shè)備、軍用車載、醫(yī)療救護車、警車、船舶、太...
2012-05-04
逆變器 基礎(chǔ)知識 大收羅
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如何在系統(tǒng)級提高太陽能面板效率
在這篇文章中，我們將討論的技術(shù)是，如何在系統(tǒng)級提高太陽能面板效率，包括太陽能電池板最大受光定位。
2012-05-04
太陽能板 ADC 光伏
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太陽能最大功率點跟蹤設(shè)計技巧
如果太陽能電池板沒有機械式陽光追蹤能力，一年中輻照度會隨著太陽的移動變化約±23度，輸出功率在一整天變化。為此，安森美半導(dǎo)體開發(fā)了一款太陽能電池控制器NCP1294，用來實現(xiàn)太陽能電池板的最大峰值功率點跟蹤（MPPT），以最高能效為蓄電池充電。
2012-05-04
太陽能充電控制器 MPPT 太陽能電池板
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Vishay推出下一代D系列MOSFET，兩大指標超前對手
近日，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其下一代D系列高壓功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n溝道器件具有低導(dǎo)通電阻、超低柵極電荷和3A～36A電流，采用多種封裝，效率和功率密度達到新的水平。
2012-05-04
MOSFET Vishay D系列MOSFET
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