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變頻器用IGBT模塊的故障分析及靜態測量
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速...
2022-06-21
變頻器 IGBT模塊 故障分析
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具備出色穩定性的CoolSiC MOSFET M1H
過去幾年，實際應用條件下的閾值電壓漂移（VGS(th)）一直是SiC的關注重點。英飛凌率先發現了動態工作引起的長期應力下VGS(th)的漂移現象，并提出了工作柵極電壓區域的建議，旨在最大限度地減少使用壽命內的漂移。[1]。
2022-06-21
穩定性 CoolSiC MOSFET
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安森美向前推進可持續發展
2022年6月17日—領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，發布其年度可持續發展報告，前稱企業社會責任（CSR）報告。為了持續努力保持我們對投資者、客戶、利益相關者和員工的透明度，該報告根據全球報告倡議組織（GRI）、氣候相關的財務披露工作組（TCFD）和可持...
2022-06-20
安森美 可持續發展
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Digi-Key在2022年EDS領導力峰會上被供應商授予了25項大獎
全球供應品類豐富、發貨快速的現貨電子元器件分銷商 Digi-Key Electronics 日前宣布在 5 月 10 日至 13 日于拉斯維加斯舉行的 2022 EDS 領導力峰會上獲得了供應商授予的 25 項大獎。這是對 Digi-Key 在過去一年中的銷售業績、客戶服務、產品廣度、數字存在等方面成績的認可。
2022-06-20
Digi-Key EDS領導力峰會
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面對電磁輻射干擾，如何輕松進行電子線路設計布局？
電磁環境包含輻射和傳導能量。EMC也包含輻射和敏感度兩方面。輻射是指產品不必要地產生電磁能量。為了打造一種具備電磁兼容性的環境，通常需要控制輻射。敏感度是一種用于衡量電子產品容忍其他電磁產品的輻射，或傳導電磁能量影響或其他電磁影響的能力指標。抗擾度與敏感度相反。敏感度高的設備抗擾...
2022-06-20
電磁干擾 電子線路 設計布局
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臨床級可穿戴遭遇電量危機？新型結構傳感器IC了解下
在健康和健身可穿戴設備的功能列表中，心率(HR)和血氧飽和度(SpO2)正迅速從“期待擁有”階段進入“有望實現”階段。但是，這種轉變導致讀數質量下降，這是因為一些傳感器制造商在急于滿足市場對這些功能的需求時，放松了其產品的讀數質量，由此引發了人們對其產品準確性的質疑。
2022-06-20
可穿戴 電量危機 傳感器IC
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USB供電的5.8 GHz RF LNA接收器，帶輸出功率保護功能
國際電信聯盟(ITU)分配了免許可的5.8 GHz工業、科學和醫學(ISM)無線電頻段供全球使用。隨著無線技術和標準的進步，以及最低的法規合規要求，使此頻段在短距離無線通信系統中頗受歡迎。
2022-06-20
USB供電 RF LNA接收器
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