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基于GaN HEMT的S波段的功率放大器設計
近年來，寬禁帶材料與微波功率器件發展非常迅猛。GaN材料作為第三代半導體的典型代表，具有很多優異的特性，如禁帶寬度寬、擊穿場強高、熱傳導率高和峰值電子漂移速度高，所以GaN材料可以很好地滿足高溫、高頻和高功率等工作要求。
2019-01-21
GaN S波段 功率放大器
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簡單、快速辨別LED極性的方法
使用發光二極管(LED)前，辨識LED管腳的極性十分必要，本文介紹了快速辨別LED極性的方法，包括通孔封裝和表面貼裝兩種器件類型。
2019-01-21
發光二極管 LED 極性
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設計經驗：這個電路用同步整流代替二極管后，出現意想不到的效果
在現實情況中，寄生元件會共同降低未調節輸出的負載調整。在本電源小貼士中，我將進一步探討寄生電感的影響，以及如何使用同步整流代替二極管來大幅提高反激式電源的交叉調整率。
2019-01-21
同步整流 二極管 電源
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熱敏電阻PTC和NTC的區別你都知道了嗎？
熱敏電阻其主要功能是隨著溫度的變化而表現出電阻的變化。NTC電阻對溫度變化的響應通常是線性的。PTC電阻會隨溫度的增加發生輕微變化，直到達到“切換點”，之后電阻值會發生幾個數量級的增加。
2019-01-21
熱敏電阻 PTC NTC
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如何測量無源晶振的頻率？
晶振，是電路中重要的電子元件，控制著系統運行的節拍。基于不同的應用場景，晶振有多種類型，無源晶振是其中價格便宜而又應用廣泛的一種。在使用示波器測量無源晶振輸出頻率時，常常會發現晶振有輸出無信號、晶振不起振等異常情況。本文就此情況略談一二。
2019-01-20
無源晶振 LC回路 示波器
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解析有源鉗位吸收器電路及其數字實現方式
一般而言，在高輸出電流隔離式DC-DC電源應用中，使用 同步整流器（尤其是MOSFET）是主流趨勢。高輸出電流還 會在整流器上引入較高的di/dt。為了實現高效率，MOSFET 的選擇主要取決于導通電阻和柵極電荷。
2019-01-19
有源鉗位吸收器 吸收器電路 DC-DC電源
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世界先進董事長：以MOSFET為主的分離式元件受貿易沖擊最低
晶圓代工廠世界先進董事長方略近日表示：目前全球經濟環境受到中美貿易戰、消費者信心不足，影響今年短期半導體市場發展。不過，方略指出，自家眾多產品線當中，金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET）為主的分離式元件供需受貿易戰沖擊性最低。
2019-01-19
MOSFET 分離式元件
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