久热国产精品视频一区二区三区,动漫羞羞,西西午夜

通信廣電

Home Bus系統(tǒng)電感選型避坑指南：PoD應(yīng)用中的關(guān)鍵考量

在基于雙線數(shù)據(jù)線供電（PoD）架構(gòu)的Home Bus系統(tǒng)中，"交流阻斷"電感承擔(dān)著分離數(shù)據(jù)信號(hào)與直流電源的關(guān)鍵角色。其性能表現(xiàn)直接決定了通信網(wǎng)絡(luò)的穩(wěn)定性和可靠性，因此如何精準(zhǔn)選型成為系統(tǒng)設(shè)計(jì)中的重要環(huán)節(jié)。本文將從工程實(shí)踐角度出發(fā)，詳細(xì)闡述此類特殊應(yīng)用場(chǎng)景下的電感篩選標(biāo)準(zhǔn)與系統(tǒng)性評(píng)估方法，...

2025-11-28

Home Bus系統(tǒng) 電感選型指南數(shù)據(jù)線供電交流阻斷電感總線電感信號(hào)分離耦合電感

工程師必讀：步進(jìn)電機(jī)選型避坑指南，精準(zhǔn)匹配應(yīng)用需求

作為一名電子工程師，我們?cè)缫咽煜げ竭M(jìn)電機(jī)的基本原理——將電脈沖轉(zhuǎn)換為角位移的執(zhí)行器。但要在項(xiàng)目中真正發(fā)揮其最大效能，僅停留在“發(fā)脈沖就能轉(zhuǎn)”的層面是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的。本文將從驅(qū)動(dòng)架構(gòu)、控制策略與工程實(shí)踐三個(gè)維度，對(duì)步進(jìn)電機(jī)進(jìn)行深度剖析。

2025-11-28

步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)原理選型計(jì)算微步進(jìn)技術(shù) 控制器振動(dòng)抑制閉環(huán)步進(jìn)電機(jī)

告別安全隱患？‘史上最嚴(yán)’充電寶國(guó)標(biāo)即將出臺(tái)，劣質(zhì)產(chǎn)品無(wú)處遁形

近日，一則消息引發(fā)廣泛關(guān)注：強(qiáng)制性國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《移動(dòng)電源安全技術(shù)規(guī)范》（征求意見(jiàn)稿）正式在工業(yè)和信息化部網(wǎng)站發(fā)布，征求意見(jiàn)時(shí)間為11月12日至12月11日。這一被業(yè)內(nèi)稱為“史上最嚴(yán)”的充電寶安全標(biāo)準(zhǔn)，將在整機(jī)、線路板和電芯三大技術(shù)領(lǐng)域提出數(shù)十項(xiàng)嚴(yán)格改進(jìn)要求，預(yù)示著移動(dòng)電源行業(yè)將迎來(lái)全面規(guī)范。

2025-11-28

3C認(rèn)證充電寶電源技術(shù)

三星發(fā)布NAND閃存重大突破：新結(jié)構(gòu)功耗直降96%，重塑AI數(shù)據(jù)中心未來(lái)

近日，三星電子宣布在存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)重大突破，其研發(fā)團(tuán)隊(duì)成功開發(fā)出一種新型NAND閃存結(jié)構(gòu)，可將功耗降低超過(guò)90%。這一成果有望徹底改變?nèi)斯ぶ悄軘?shù)據(jù)中心、移動(dòng)設(shè)備及其他依賴存儲(chǔ)芯片的終端產(chǎn)品的未來(lái)發(fā)展路徑。

2025-11-28

NAND閃存氧化物半導(dǎo)體三星電子

鎧俠BiCS FLASH 3D閃存破局AI算力瓶頸，鑄就高性能存儲(chǔ)基石

AI算力需求呈現(xiàn)爆炸式增長(zhǎng)，海量數(shù)據(jù)頻繁調(diào)動(dòng)使得存儲(chǔ)行業(yè)變得愈發(fā)重要。生成式AI、AI智能體、端側(cè)AI應(yīng)用，高性能、高密度、高能效的存儲(chǔ)解決方案都構(gòu)成了不可或缺的硬件基礎(chǔ)。這些技術(shù)正助力解決數(shù)據(jù)中心、AI訓(xùn)練推理以及移動(dòng)設(shè)備在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與訪問(wèn)方面的瓶頸問(wèn)題。在眾多存儲(chǔ)技術(shù)發(fā)展路徑中，鎧俠B...

2025-11-28

生成式AI 邊緣計(jì)算 BiCS FLASH 存儲(chǔ)

“芯”品發(fā)布｜鎵未來(lái)推出“9mΩ”車規(guī)級(jí) GaN FET ，打破功率氮化鎵能效天花板！

近日，鎵未來(lái)正式宣布推出 G2E65R009 系列 650V 9mΩ 車規(guī)級(jí)氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GaN FET）。這款完全符合汽車 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)的 650V 氮化鎵分立器件，以全球最小的 9mΩ 導(dǎo)通電阻（Rds(on)），引起行業(yè)內(nèi)廣泛關(guān)注，迅速成為氮化鎵功率半導(dǎo)體在新能源汽車領(lǐng)域性能優(yōu)化的新標(biāo)桿。

2025-11-28

氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管

解密未來(lái)安全：后量子密碼技術(shù)如何重塑數(shù)字生態(tài)

隨著量子計(jì)算技術(shù)的突破性進(jìn)展，傳統(tǒng)加密體系正面臨前所未有的安全挑戰(zhàn)。在"先收集，后解密"的新型攻擊模式日益猖獗的背景下，全球網(wǎng)絡(luò)安全標(biāo)準(zhǔn)正在經(jīng)歷深刻重構(gòu)——從商業(yè)國(guó)家安全算法套件（CNSA）2.0的升級(jí)，到零信任架構(gòu)的普及，再到安全協(xié)議和數(shù)據(jù)模型（SPDM）的完善，標(biāo)志著密碼學(xué)領(lǐng)域即將迎來(lái)...

2025-11-27

后量子密碼學(xué) 量子安全 CNSA 2.0 零信任架構(gòu) 量子計(jì)算安全網(wǎng)絡(luò)安全算法

如何保障多通道時(shí)鐘一致性？瑞薩5PB1102給出高性價(jià)比答案

在現(xiàn)代高速數(shù)字系統(tǒng)、通信設(shè)備和精密儀器設(shè)計(jì)中，時(shí)鐘分配的相位噪聲與通道一致性已成為影響系統(tǒng)性能的關(guān)鍵因素。時(shí)序精度上的微小偏差可能導(dǎo)致數(shù)據(jù)采集錯(cuò)誤、通信誤碼率上升乃至整個(gè)系統(tǒng)性能下降。針對(duì)這一挑戰(zhàn)，瑞薩電子推出的5PB1102高性能1:2 LVCMOS時(shí)鐘緩沖器，以其卓越的性能指標(biāo)為工程師提供...

2025-11-27

瑞薩電子 5PB1102 時(shí)鐘緩沖器電阻

告別線纜混亂！HDMI如何用單根線重塑音視頻傳輸

HDMI連接器（High-Definition Multimedia Interface Connector），即高清晰度多媒體接口連接器，是一種全數(shù)字化音視頻傳輸接口，廣泛用于在各種電子設(shè)備之間高效、穩(wěn)定地傳輸未壓縮的高清視頻和多聲道音頻信號(hào)。自2002年首次推出以來(lái)，HDMI已成為消費(fèi)電子領(lǐng)域事實(shí)上的標(biāo)準(zhǔn)接口，常見(jiàn)于電視、投影儀...

2025-11-26

HDMI連接器 HDMI 2.1/2.2 音視頻傳輸 HDMI線纜選擇

首頁(yè) 上一頁(yè) 1 2 3 4 5 6 7 8 下一頁(yè) 尾頁(yè)

特別推薦

技術(shù)文章更多>>

技術(shù)白皮書下載更多>>

熱門搜索

Home Bus系統(tǒng)電感選型避坑指南：PoD應(yīng)用中的關(guān)鍵考量

工程師必讀：步進(jìn)電機(jī)選型避坑指南，精準(zhǔn)匹配應(yīng)用需求

告別安全隱患？‘史上最嚴(yán)’充電寶國(guó)標(biāo)即將出臺(tái)，劣質(zhì)產(chǎn)品無(wú)處遁形

三星發(fā)布NAND閃存重大突破：新結(jié)構(gòu)功耗直降96%，重塑AI數(shù)據(jù)中心未來(lái)

鎧俠BiCS FLASH 3D閃存破局AI算力瓶頸，鑄就高性能存儲(chǔ)基石

“芯”品發(fā)布｜鎵未來(lái)推出“9mΩ”車規(guī)級(jí) GaN FET ，打破功率氮化鎵能效天花板！

解密未來(lái)安全：后量子密碼技術(shù)如何重塑數(shù)字生態(tài)

如何保障多通道時(shí)鐘一致性？瑞薩5PB1102給出高性價(jià)比答案

告別線纜混亂！HDMI如何用單根線重塑音視頻傳輸

友情鏈接(QQ：317243736)