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Vishay的101/102 PHR-ST螺旋式接線柱功率鋁電容器新增三種更大的外形尺寸
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其101/102 PHR-ST螺旋式接線柱功率鋁電容器新增了90mm x 146mm、76mm x 220mm及90mm x 220mm三種更大的外形尺寸，接線柱的長度為13mm。
2010-01-27
Vishay 101/102 PHR-ST 電容器 RoHS指令 UPS設備
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推動LED產業發展需加強國產MOCVD設備開發
第十一屆全國MOCVD學術會議于2010年1月12日在江蘇蘇州召開，為期2天，會議上跟許多專家和學者進行了交流，本次MOCVD探討的主要應用集中在LED，太陽能/激光器方面的應用也不少。國內MOCVD的總體感覺是：關注的人多，做的人少。
2010-01-27
LED MOCVD 設備
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推動LED產業發展需加強國產MOCVD設備開發
第十一屆全國MOCVD學術會議于2010年1月12日在江蘇蘇州召開，為期2天，會議上跟許多專家和學者進行了交流，本次MOCVD探討的主要應用集中在LED，太陽能/激光器方面的應用也不少。國內MOCVD的總體感覺是：關注的人多，做的人少。
2010-01-27
LED MOCVD 設備
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推動LED產業發展需加強國產MOCVD設備開發
第十一屆全國MOCVD學術會議于2010年1月12日在江蘇蘇州召開，為期2天，會議上跟許多專家和學者進行了交流，本次MOCVD探討的主要應用集中在LED，太陽能/激光器方面的應用也不少。國內MOCVD的總體感覺是：關注的人多，做的人少。
2010-01-27
LED MOCVD 設備
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采用PowerFill外延硅工藝的電源器件
ASM International推出了其PowerFill的外延硅（Epi Si）溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無縫隙填充。 PoweRFill是一個精湛的工藝技術，因為它是同類流程速度的3倍，降低制造成本，創造了為電源設備設計在設計程度上新的級別。
2010-01-27
ASM PowerFill 外延硅工藝 電源器件 Fairchild
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采用PowerFill外延硅工藝的電源器件
ASM International推出了其PowerFill的外延硅（Epi Si）溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無縫隙填充。 PoweRFill是一個精湛的工藝技術，因為它是同類流程速度的3倍，降低制造成本，創造了為電源設備設計在設計程度上新的級別。
2010-01-27
ASM PowerFill 外延硅工藝 電源器件 Fairchild
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采用PowerFill外延硅工藝的電源器件
ASM International推出了其PowerFill的外延硅（Epi Si）溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無縫隙填充。 PoweRFill是一個精湛的工藝技術，因為它是同類流程速度的3倍，降低制造成本，創造了為電源設備設計在設計程度上新的級別。
2010-01-27
ASM PowerFill 外延硅工藝 電源器件 Fairchild
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2009年電視半導體市場先抑后揚，2010年更強勁
2009年全球電視顯示半導體營業收入估計可達87 億美元，比2008 年時的89 億美元下降1.6%。相比之下，2009 年全球整體半導體營業收入預計下降12.4%。如按季度看，電視半導體營業收入全年保持大幅增長之勢，第四季度升至25 億美元，比第一季度時的17 億美元大增45.8%。
2010-01-27
電視半導體 市場 先抑后揚 強勁
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便攜式音頻產品的實現技術
消費電子市場對具有音頻播放和錄音功能的便攜式產品需求的顯著增長。人們希望這些產品具有的特性包括：電池壽命長、體積小、重量輕以及具有高質量的音頻性能。本文介紹便攜式音頻產品的實現技術。
2010-01-27
便攜式 音頻產品 低功耗
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