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高層專訪 | 感知未來，照亮世界，艾邁斯歐司朗的穩(wěn)健前行
自ams于2019年宣布收購OSRAM并成立艾邁斯歐司朗集團(tuán)（ams OSRAM）以后，這家光學(xué)解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者就穩(wěn)步發(fā)展，“傳感即生活”也一如既往地成為這家光學(xué)巨頭的發(fā)展愿景。
2023-07-19
艾邁斯歐司朗 傳感器
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PFC電路：死區(qū)時間理想值的考量
由于該電路是進(jìn)行同步整流工作的電路，所以我們通過仿真來探討高邊（HS）和低邊（LS）SiC MOSFET SCT2450KE的死區(qū)時間理想值，即不直通的最短時間。死區(qū)時間可以通過仿真工具的PWM控制器參數(shù)TD1（HS）和TD2（LS）來分別設(shè)置。
2023-07-18
PFC電路 死區(qū)時間 理想值
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了解這些 就可以搞懂 IGBT
絕緣柵雙極晶體管（IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開關(guān)，在較新的器件中以結(jié)合高效和快速開關(guān)而聞名。IGBT通過在單個器件中組合用于控制輸入的隔離柵極FET和作為開關(guān)的雙極功率晶體管，將MOSFET的簡單柵極驅(qū)動特性與雙極晶體管的高電流和低飽和...
2023-07-18
工作原理 IGBT
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計算DC-DC補償網(wǎng)絡(luò)的分步過程
本文旨在幫助設(shè)計人員了解DC-DC補償?shù)墓ぷ髟怼⒀a償網(wǎng)絡(luò)的必要性以及如何使用正確的工具輕松獲得有效的結(jié)果。該方法使用LTspice?中的一個簡單電路，此電路基于電流模式降壓轉(zhuǎn)換器的一階（線性）模型1。使用此電路，無需執(zhí)行復(fù)雜的數(shù)學(xué)計算即可驗證補償網(wǎng)絡(luò)值。
2023-07-17
DC-DC 補償網(wǎng)絡(luò) 計算過程
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2023年初至今DigiKey新增超過17.5萬種現(xiàn)貨零件，助您將創(chuàng)意變成現(xiàn)實！
全球領(lǐng)先的供應(yīng)品類豐富、發(fā)貨快速的商業(yè)現(xiàn)貨技術(shù)元件和自動化產(chǎn)品分銷商 DigiKey 日前宣布，2023 年大幅擴(kuò)充了其產(chǎn)品組合范圍，年初至今已新增超過 17.5 萬種現(xiàn)貨零件，包括其核心業(yè)務(wù)中近 4 萬個新引進(jìn)的產(chǎn)品 SKU。為客戶（工程師、設(shè)計師和建造者）提供最新、最全面的技術(shù)選擇，努力幫助他們將創(chuàng)...
2023-07-14
DigiKey MPU ROHM
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D類功放“爆破音”機(jī)理與抑制措施淺析
隨著電動汽車的發(fā)展，車載音響系統(tǒng)的信道的數(shù)量和輸出功率均在逐步上升。在影音娛樂系統(tǒng)中，高通道數(shù)量和高輸出功率的音響系統(tǒng)，可以產(chǎn)生更大的音壓和動態(tài)范圍，包裹感空間感更強，進(jìn)而實現(xiàn)劇場效果的360度立體環(huán)繞聲。除車載娛樂外，車載音響系統(tǒng)還具備許多功能。電動汽車相比傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī)汽車安靜，...
2023-07-14
D類功放 爆破音 抑制措施
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淺析汽車空氣懸架系統(tǒng)中的電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用
汽車懸架系統(tǒng)可以調(diào)節(jié)車身的高度、阻尼、剛度，有效提升駕駛的舒適性與操控性，從而讓駕駛者在不同的車速、路面條件下有不同的駕駛感受，提高車輛的平順性和品質(zhì)感。
2023-07-14
汽車 空氣懸架 電機(jī)驅(qū)動
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電池管理系統(tǒng)有助于優(yōu)化電動汽車性能嗎
倒計時已經(jīng)開始：自動駕駛、電動、互聯(lián)汽車將在未來幾年徹底改變整個汽車行業(yè)——這一變化遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了網(wǎng)絡(luò)訪問或方向盤和踏板的消失。自動駕駛聯(lián)網(wǎng)汽車將帶我們進(jìn)入一個更高效、更經(jīng)濟(jì)、更清潔、更環(huán)保的新交通時代，鋰離子（Li-ion）電池和電池管理系統(tǒng)將成為電動汽車（e-mobility）的關(guān)鍵。
2023-07-13
電池管理系統(tǒng) 電動汽車
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安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 靜態(tài)特性分析
SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場中正迅速普及，因為它最初的一些可靠性問題已得到解決，并且價位已達(dá)到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多，必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章將概述安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關(guān)鍵特性及驅(qū)動條件...
2023-07-13
安森美 SiC MOSFET 靜態(tài)特性
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