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瑞薩電子擴(kuò)展“云實(shí)驗(yàn)室”，重塑遠(yuǎn)程設(shè)計(jì)
全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子集團(tuán)（TSE：6723）今日宣布，擴(kuò)展倍受歡迎的“云實(shí)驗(yàn)室”，以簡(jiǎn)化配置和測(cè)試流程，加快產(chǎn)品上市速度。瑞薩借助先進(jìn)GUI功能和全新設(shè)計(jì)參數(shù)增強(qiáng)其遠(yuǎn)程實(shí)驗(yàn)室，打造更具吸引力且更符合用戶使用習(xí)慣的用戶體驗(yàn)，并為設(shè)計(jì)者帶來(lái)更高配置靈活性。
2021-09-07
瑞薩電子 云實(shí)驗(yàn)室 遠(yuǎn)程設(shè)計(jì)
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邊緣計(jì)算網(wǎng)關(guān)的接口保護(hù)設(shè)計(jì)
隨著物聯(lián)網(wǎng)的興起以及云服務(wù)的普及，一種新的計(jì)算范式–邊緣計(jì)算開(kāi)始出現(xiàn)在我們視野中。邊緣計(jì)算主張?jiān)诰W(wǎng)絡(luò)的邊緣處理數(shù)據(jù)，從而減少系統(tǒng)反應(yīng)時(shí)間，保護(hù)數(shù)據(jù)隱私及安全，延長(zhǎng)電池使用壽命，節(jié)省網(wǎng)絡(luò)帶寬。目前應(yīng)用分為工業(yè)和車載應(yīng)用。
2021-09-07
邊緣計(jì)算 網(wǎng)關(guān) 接口保護(hù)
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在正確的比較中了解SiC FET導(dǎo)通電阻隨溫度產(chǎn)生的變化
比較SiC開(kāi)關(guān)的數(shù)據(jù)資料并非易事。由于導(dǎo)通電阻的溫度系數(shù)較低，SiC MOSFET似乎占據(jù)了優(yōu)勢(shì)，但是這一指標(biāo)也代表著與UnitedSiC FET相比，它的潛在損耗較高，整體效率低。
2021-09-07
SiC FET 導(dǎo)通電阻 溫度變化
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負(fù)壓脈沖高？教你3招制伏
隨著5G通信與新能源車的普及，人們對(duì)高效率電源的需求越來(lái)越多。而提升電源轉(zhuǎn)換效率的關(guān)鍵因素就在于開(kāi)關(guān)電源中的功率部分。
2021-09-07
負(fù)壓脈 5G通信 電源效率
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開(kāi)關(guān)電源中的局部放電
局部放電（partial discharge，簡(jiǎn)稱PD）現(xiàn)象，通常主要指的是高壓電氣設(shè)備絕緣層在足夠強(qiáng)的電場(chǎng)作用下局部范圍內(nèi)發(fā)生的放電，某個(gè)區(qū)域的電場(chǎng)強(qiáng)度一旦達(dá)到其介質(zhì)擊穿場(chǎng)強(qiáng)時(shí)，該區(qū)域就會(huì)出現(xiàn)放電現(xiàn)象。這種放電以僅造成導(dǎo)體間的絕緣局部短（路橋）接而不形成導(dǎo)電通道為限。每一次局部放電對(duì)絕緣介質(zhì)都...
2021-09-07
開(kāi)關(guān)電源 局部放電
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板子上的MOSFET莫名炸機(jī)，多半是這個(gè)原因！
MOSFET、IGBT是開(kāi)關(guān)電源最核心也是最容易燒壞的器件！其原因大多是過(guò)壓或過(guò)流導(dǎo)致功耗大增，從而使器件損壞，甚至可能會(huì)伴隨爆炸。而SOA安全工作區(qū)測(cè)試，就是保障其安全工作的重要測(cè)試項(xiàng)目！
2021-09-07
MOSFET 炸機(jī) 開(kāi)關(guān)電源
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高速SerDes均衡之FFE
高速接口SerDes為實(shí)現(xiàn)芯片間信號(hào)的有線傳輸，需要完成數(shù)字到模擬的轉(zhuǎn)化，經(jīng)過(guò)通道傳輸后，再將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)回?cái)?shù)字信號(hào)。并保證傳輸過(guò)程保持比較低的誤碼率。本期，結(jié)合信道的特性，我們來(lái)了解一下SerDes的發(fā)送端TX的均衡原理。
2021-09-07
高速接口 均衡原理
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