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三極管的開(kāi)關(guān)速度與加速電容分析
晶體管的開(kāi)關(guān)速度即由其開(kāi)關(guān)時(shí)間來(lái)表征,開(kāi)關(guān)時(shí)間越短,開(kāi)關(guān)速度就越快。BJT的開(kāi)關(guān)過(guò)程包含有開(kāi)啟和關(guān)斷兩個(gè)過(guò)程,相應(yīng)地就有開(kāi)啟時(shí)間ton和關(guān)斷時(shí)間toff,晶體管的總開(kāi)關(guān)時(shí)間就是ton與toff之和。
2019-08-06
三極管 加速電容
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屏蔽效能分析
屏蔽效能表現(xiàn)了屏蔽體對(duì)電磁波的衰減程度。由于屏蔽體通常能將電磁波的強(qiáng)度衰減到原來(lái)的百分之一至萬(wàn)分之一, 因此通常用分貝(dB)來(lái)表述。一般的屏蔽體的屏蔽效能可達(dá)40 dB, 軍用設(shè)備的屏蔽體的屏蔽效能可達(dá)60 dB, TEMPEST設(shè)備的屏蔽體的屏蔽效能可達(dá)80 dB以上。
2019-08-06
屏蔽 效能分析
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耦合與退耦,上拉與下拉!
耦合指信號(hào)由第一級(jí)向第二級(jí)傳遞的過(guò)程,一般不加注明時(shí)往往是指交流耦合。退耦是指對(duì)電源采取進(jìn)一步的濾波措施,去除兩級(jí)間信號(hào)通過(guò)電源互相干擾的影響。耦合常數(shù)是指耦合電容值與第二級(jí)輸入阻抗值乘積對(duì)應(yīng)的時(shí)間常數(shù)。
2019-08-06
耦合 退耦 上拉 下拉
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常見(jiàn)電路保護(hù)元器件介紹與比較
電路保護(hù)是電路設(shè)計(jì)的基本功,其中涉及的元器件有很多種,熟悉并掌握每種不同電路保護(hù)元器件的特性十分重要。本文將對(duì)幾種常見(jiàn)的電路保護(hù)元器件進(jìn)行介紹和比較。
2019-08-06
電路保護(hù) 元器件
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元器件篩選原則是什么?常見(jiàn)的篩選項(xiàng)目有哪些?
電子元器件的固有可靠性取決于產(chǎn)品的可靠性設(shè)計(jì),因此,應(yīng)該在電子元器件裝上整機(jī)或設(shè)備之前,就要設(shè)法盡可能排除掉存在問(wèn)題的元器件,為此就要對(duì)元器件進(jìn)行篩選。那么,元器件篩選都有哪些方案?原則是什么?常見(jiàn)的篩選項(xiàng)目有哪些?
2019-08-06
元器件篩選
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CMOS電路的ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
靜電放電(ESD - ElectroStatic Discharge)會(huì)給電子器件帶來(lái)破壞性的后果,是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發(fā)展,CMOS電路的尺寸不斷縮小,管子的柵氧厚度越來(lái)越薄,芯片的面積規(guī)模越來(lái)越大,MOS管能承受的電流和電壓也越來(lái)越小,而外圍的使用環(huán)境并未改變,因此要進(jìn)一步...
2019-08-05
CMOS電路 ESD保護(hù)
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電源系統(tǒng)開(kāi)關(guān)控制器的MOSFET選擇
MOSFET廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路中,和我們的生活密不可分。MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于:首先驅(qū)動(dòng)電路比較簡(jiǎn)單。
2019-08-05
電源系統(tǒng) 開(kāi)關(guān)控制器 MOSFET
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