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微結構不均勻性（負載效應）及其對器件性能的影響：對先進DRAM工藝中有源區形狀扭曲的研究
在DRAM結構中，電容存儲單元的充放電過程直接受晶體管所控制。隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負載效應正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而對于先進的DRAM，晶體管的有源區 (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。
2021-08-23
負載效應 DRAM
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IGBT模塊及散熱系統的等效熱模型
功率器件作為電力電子裝置的核心器件，在設計及使用過程中如何保證其可靠運行，一直都是研發工程師最為關心的問題。功率器件除了要考核其電氣特性運行在安全工作區以內，還要對器件及系統的熱特性進行精確設計，才能既保證器件長期可靠運行，又充分挖掘器件的潛力。
2021-08-23
IGBT模塊 散熱系統
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數字IC的高級封裝盤點與梳理
數字 IC 的封裝選項（以及相關的流行詞和首字母縮略詞）繼續成倍增加。微處理器、現場可編程門陣列 (FPGA) 和專用定制 IC (ASIC) 等高級數字 IC 以多種封裝形式提供。
2021-08-23
數字IC 高級封裝
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如何優化嵌入式電機控制系統的功率耗散和溫度耗散？
本文以基于TDK電機控制IC HVC 4223F的步進電機執行器為例，概述了硬件和軟件環境中用于降低功率耗散和改善IC熱耗散的措施，并通過各種測試系列和設置審查措施的有效性。
2021-08-22
嵌入式電機控制系統 功率耗散 溫度耗散
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能為汽車應用提供穩定的參考時鐘或信號源的諧振器
在我們的日常工作中，經常會碰到器件失效或系統故障，這時為了清楚界定失效事件的嚴重性，就需要定量的來描述具體的失效率，這就需要用專業的術語來溝通，而有的工程師喜歡談FIT，有的工程師喜歡談MTBF，其實這兩個概念所描述的主體是不一樣的，因此有必要在此簡析一下。
2021-08-22
諧振器 汽車應用 參考時鐘 信號源
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英特爾面向 CPU、GPU 和 IPU發布了重大技術架構的改變和創新
在 2021 年英特爾架構日上，英特爾公司高級副總裁兼加速計算系統和圖形事業部總經理 Raja Koduri 攜手多位英特爾架構師，全面介紹了兩種全新 x86 內核架構的詳情；英特爾首個性能混合架構，代號“Alder Lake”，以及智能的英特爾? 硬件線程調度器；專為數據中心設計的下一代英特爾? 至強? 可擴展處理...
2021-08-22
英特爾 CPU GPU IPU
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開關電源的LLC 拓撲
近來，LLC拓撲以其高效，高功率密度受到廣大電源設計工程師的青睞，但是這種軟開關拓撲對MOSFET的要求卻超過了以往任何一種硬開關拓撲。特別是在電源啟機，動態負載，過載，短路等情況下。CoolMOS 以其快恢復體二極管，低Qg 和Coss能夠完全滿足這些需求并大大提升電源系統的可靠性。
2021-08-22
開關電源 LLC 拓撲
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