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適用于熱插拔應(yīng)用的具有導(dǎo)通電阻的高效 MOSFET
熱插拔是指將電子設(shè)備插入帶電電源；這可能會損壞相關(guān)電子設(shè)備。電容性負(fù)載可能會產(chǎn)生較大的負(fù)載電流，從而給電源、電纜組件和任何限流電路帶來壓力。此外，電纜寄生電感上的電壓變化會引起電壓尖峰，從而進(jìn)一步損壞電子設(shè)備。
2023-09-24
熱插拔應(yīng)用 導(dǎo)通電阻 MOSFET
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LED 和檢測器 IC 的熱阻測量
該封裝安裝在低電導(dǎo)率測試板上，根據(jù) JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)，該測試板的尺寸為 76.2 mm x 76.2 mm。包相對居中。總共準(zhǔn)備了兩個低電導(dǎo)率板用于測量。這些測試板由 FR-4 材料制成，銅跡線厚度符合低電導(dǎo)率板的 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)。所有板上都使用了經(jīng)過測試的“良好”設(shè)備。所有熱阻測量數(shù)據(jù)列于圖 2 中。
2023-09-23
LED 檢測器 IC 熱阻測量
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硅基氮化鎵在射頻市場的應(yīng)用日益廣泛
氮化鎵技術(shù)將繼續(xù)在國防和電信市場提供高性能和高效率。射頻應(yīng)用目前主要是碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）器件。雖然硅基氮化鎵（GaN-on-Si）目前不會威脅到碳化硅基氮化鎵的主導(dǎo)地位，但它的出現(xiàn)將影響供應(yīng)鏈，并可能影響未來的電信技術(shù)。
2023-09-21
硅基氮化鎵 射頻市場
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LED路燈電源設(shè)計
LED 比傳統(tǒng)燈泡和燈更高效。它們無需預(yù)熱時間即可達(dá)到亮度，這使得它們比熒光燈更好。這些裝置可以組裝并用于照明燈具。憑借提到的所有這些功能，LED 非常適合用于街道照明應(yīng)用。
2023-09-21
LED路燈 電源設(shè)計
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低壓電機(jī)驅(qū)動設(shè)計
本應(yīng)用筆記介紹了采用表面貼裝封裝的 n 通道雙 MOSFET 的低壓電機(jī)驅(qū)動設(shè)計。它描述了使用不同電壓應(yīng)用的設(shè)計，以及自適應(yīng) MOSFET 柵極驅(qū)動器，這是驅(qū)動雙 n 溝道半橋的第三種方法。
2023-09-21
低壓 電機(jī)驅(qū)動
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使用電壓／電流模擬光耦合器進(jìn)行隔離
隔離電壓/電流感測在工業(yè)應(yīng)用中具有多種用途，如圖 1 所示。它可用于檢測電源浪涌時的過壓或斷電時的欠流。此外，它還提供信號隔離以及電噪聲和瞬態(tài)干擾的抑制，防止系統(tǒng)故障。ACPL-K370/K376 是具有內(nèi)置電壓/電流閾值檢測電路的模擬光耦合器器件。該器件具有檢測精度高、交流或直流電壓檢測范圍寬...
2023-09-21
電壓模擬光耦合器 電流模擬光耦合器 隔離
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驅(qū)動電源模塊密度的關(guān)鍵因素
依靠簡單的經(jīng)驗法則來評估電源模塊密度的關(guān)鍵因素是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的，例如電源解決方案開關(guān)頻率與整體尺寸和密度成反比；與驅(qū)動系統(tǒng)密度的負(fù)載相比，功率密度往往以不同的速率變化；因此合理的做法是將子系統(tǒng)和相關(guān)器件分開分析。先進(jìn)的封裝和3D電源封裝? (3DPP?) 技術(shù)可讓電源模塊密度匹配其服務(wù)的相應(yīng)...
2023-09-21
電源模塊 密度 關(guān)鍵因素
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使用電荷泵驅(qū)動外部負(fù)載
CS5521/23、CS5522/24/28 和 CS5525/26 系列 A/D 轉(zhuǎn)換器包含斬波穩(wěn)定儀表放大器，用于測量低電平直流信號（±100 mV 或更小）。該放大器設(shè)計用于產(chǎn)生非常低的輸入采樣電流（在 -40 至 +85?C 范圍內(nèi)，ICVF < 300 pA）。當(dāng)使用高阻抗電路進(jìn)行輸入保護(hù)時，低輸入電流可限度地減少熱電偶測量中可能出現(xiàn)的...
2023-09-20
電荷泵 外部負(fù)載
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通信 工業(yè)和嵌入式光通信技術(shù)進(jìn)步背后的推動力
隨著工業(yè)和嵌入式計算對通信距離、低功耗和小型配置需求的提高，對通信帶寬也提出了更高的要求。而FPGA等特定使能技術(shù)以及收發(fā)器、連接器和接收器的進(jìn)步也為光通信技術(shù)的快速發(fā)展提供了支持。
2023-09-20
通信 工業(yè) 嵌入式 光通信技術(shù)
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