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安防監(jiān)控

IMEC樂(lè)觀展望2010全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

半導(dǎo)體業(yè)在摩爾定律推動(dòng)下進(jìn)步，如今又呈現(xiàn)一個(gè)More than Moore，超越摩爾定律(或稱后摩爾定律)，究竟兩者有何不同以及如何來(lái)理解，發(fā)表一些淺見供業(yè)界參考。

2009-12-25

半導(dǎo)體摩爾定律 CMOS 3D 2D scaling

英飛凌TPM安全芯片率先通過(guò)全球TCG和通用準(zhǔn)則認(rèn)證及英國(guó)政府的審批

TCG總裁兼主席Scott Rotondo指出：“為了鼓勵(lì)采用合規(guī)和安全的產(chǎn)品， TCG近期推出了‘TPM認(rèn)證計(jì)劃’。該計(jì)劃旨在對(duì)各種產(chǎn)品進(jìn)行合規(guī)和安全評(píng)估，確定成功滿足所有認(rèn)證要求的產(chǎn)品。英飛凌是全球首個(gè)成功通過(guò)TPM認(rèn)證的半導(dǎo)體供應(yīng)商，進(jìn)一步鞏固了它在硬件安全領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。”

2009-12-25

英飛凌 TPM 安全芯片全球TCG 通用準(zhǔn)則認(rèn)證

功率半導(dǎo)體：強(qiáng)化設(shè)計(jì)能力尋求中高端突破

功率半導(dǎo)體包括功率二極管、功率開關(guān)器件與功率集成電路。近年來(lái)，隨著功率MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)技術(shù)的迅速發(fā)展，功率半導(dǎo)體的應(yīng)用范圍已從傳統(tǒng)的工業(yè)控制領(lǐng)域擴(kuò)展到4C領(lǐng)域(計(jì)算機(jī)、通信、消費(fèi)類電子產(chǎn)品和汽車電子)，滲透到國(guó)民經(jīng)濟(jì)與國(guó)防建設(shè)的各個(gè)方面。我國(guó)擁有國(guó)際上最大的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)，擁...

2009-12-25

功率器件開關(guān) 功率二極管高端

GP2AP012A00F:夏普開發(fā)出集成有可檢測(cè)0.1lx低照度的照度傳感器

夏普將上市集成了照度傳感器的新款近接傳感器“GP2AP012A00F”。主要特點(diǎn)是可檢測(cè)0.1lx的低照度，外形尺寸僅為4.4mm×2.6mm×1.0mm。該公司此前產(chǎn)品可檢測(cè)的照度為3lx，外形尺寸為5.6mm×2.1mm×1.2mm。

2009-12-25

夏普集成低照度照度傳感器

無(wú)源、有源隔離器和配電隔離器的區(qū)別和應(yīng)用

本文主要講無(wú)源、有源隔離器和配電隔離器的區(qū)別和應(yīng)用

2009-12-25

有源隔離器配電隔離器 P-0113

傳感器儀表元器件發(fā)展分析

傳感器和儀表元器件是儀器儀表與自動(dòng)化系統(tǒng)最基礎(chǔ)元器件之一。傳感器和儀表元器件具有服務(wù)面廣、品種繁多、需求量大等特點(diǎn)，其技術(shù)水平和產(chǎn)品質(zhì)量的提高，將為我國(guó)制造業(yè)信息化奠定基礎(chǔ)。

2009-12-24

傳感器儀表元器件 MEMS

2009年歲末電子產(chǎn)業(yè)數(shù)據(jù)回顧與2010年展望

2008年下半年，國(guó)際金融風(fēng)暴席卷全球，以出口為主導(dǎo)的中國(guó)大陸電子信息產(chǎn)業(yè)直接受到?jīng)_擊，產(chǎn)品進(jìn)出口受阻，導(dǎo)致產(chǎn)品產(chǎn)量不斷下降，到今年元月份下降到谷底。由于中國(guó)政府及時(shí)實(shí)行積極的財(cái)政政策，調(diào)整產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，努力擴(kuò)大內(nèi)需，電子信息產(chǎn)業(yè)從2月份開始逐漸回升。雖然在個(gè)別月份有所波動(dòng)，但回升趨勢(shì)...

2009-12-24

電子產(chǎn)業(yè) 數(shù)據(jù) 回顧展望

Toshiba-components推出低導(dǎo)通電阻快速轉(zhuǎn)換的30V MOSFET

新產(chǎn)品包括5個(gè)N溝道MOSFET和1個(gè)MOSBD，MOSBD的單芯片組合了MOSFET和肖特基阻擋二極管，提供了低電感結(jié)構(gòu)，因此提高了能源效率。該產(chǎn)品提供了一系列的特性，使設(shè)計(jì)人員能夠滿足不同的系統(tǒng)要求。額定電流范圍為13A~26A，RDS(ON) (典型值)為4.3~12.2毫歐(mΩ)，輸入電容從999~2200微微法（pF）（典型值...

2009-12-24

東芝低導(dǎo)通電阻快速轉(zhuǎn)換 MOSFET

Gartner：全球半導(dǎo)體設(shè)備將增長(zhǎng)45%

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，Gartner研究副總Dean Freeman指出，晶圓代工支出與少數(shù)內(nèi)存廠商的選擇性支出，帶動(dòng)了2009下半年半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)的增長(zhǎng)，2010年的增長(zhǎng)主要將由上半年技術(shù)升級(jí)的帶動(dòng)，2010年第3季單季增長(zhǎng)率在產(chǎn)能增加前將微幅下滑，整體資本設(shè)備產(chǎn)業(yè)預(yù)期自2010年底起將一路大幅增長(zhǎng)至2011年。

2009-12-24

Gartner 全球半導(dǎo)體增長(zhǎng)

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