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新聞事件：

• 美物理學家研制出首個高溫自旋場效應(yīng)晶體管

事件影響：

• 將給半導(dǎo)體納米電子學和信息技術(shù)領(lǐng)域帶來新氣象

據(jù)美國物理學家組織網(wǎng)報道，美國得克薩斯A&M大學物理學家杰羅·斯納夫領(lǐng)導(dǎo)的一個國際科研小組在出版的《科學》雜志上宣布，他們研制出了首個能在高溫下工作的自旋場效應(yīng)晶體管（FET），該設(shè)備由電力控制，其功能基于電子的自旋，其中包含一個與門邏輯設(shè)備。新突破將給半導(dǎo)體納米電子學和信息技術(shù)領(lǐng)域帶來新氣象。

英國日立劍橋?qū)嶒炇摇虼髮W、諾丁漢大學、捷克科學院和查爾斯大學的研究人員首次將自旋—螺旋狀態(tài)和異常霍爾效應(yīng)結(jié)合在一起，制造出了這種自旋FET，其中包括一個與門邏輯設(shè)備，自旋FET的概念于1989年首次提出，這是科學家首次在其中實現(xiàn)與門邏輯設(shè)備。