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村田參展CES 2026
株式會社村田制作所（以下簡稱“村田”）將出展2026年1月6日至1月9日在美國拉斯維加斯舉辦的國際科技展會CES 2026。村田將在展位上重點展示移動出行、智能網聯、健康管理等領域的技術，以及幫助提升生活安全度與舒適性的解決方案和設備。
2025-12-18
村田
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電容選型核心指南：特性、誤區與工程實踐
電容因結構簡潔、工藝不復雜，常被工程技術人員忽視其價值，在降噪時更被當作“通用方案”，僅關注電容值與額定電壓。但電容存在寄生電阻、溫漂等非理想特性，旁路等容值敏感應用中選型不當，會導致降噪失效、電路不穩等問題。本文針對此誤區，剖析三類主流電容特性，并結合LDO選型實例，詳解電容選型...
2025-12-17
ADI LDO 電容 陶瓷電容 固態鉭電容 鋁電解電容
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意法半導體與SpaceX：十年協作鑄就衛星通信新高度
意法半導體與SpaceX迎來衛星通信定制組件創新合作十周年。十年間，雙方聯手產出數十億顆衛星通信芯片，支撐起星鏈超800萬戶終端用戶服務及萬余顆衛星部署，從消費級終端到1Tbps級V3衛星，這場深度協作不僅推動星鏈成長為全球領先的衛星互聯網服務，更彰顯了半導體創新與航天工程融合的巨大價值。
2025-12-16
意法半導體 衛星通信芯片 相控陣天線 V3 衛星
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在開關模式電源中使用氮化鎵技術的注意事項
硅材料雖為半導體產業基石，但在速度、功率密度上的瓶頸日益突出。寬禁帶半導體技術為開關模式電源帶來突破，其中氮化鎵（GaN）因低電容、高擊穿電壓等優勢成為熱門替代方案。本文剖析硅的局限與GaN的特性，探討GaN應用中的核心優勢與實際挑戰，并給出解決方案，為電路設計人員提供技術實踐指引。
2025-12-16
寬禁帶半導體 氮化鎵（GaN） 硅（Si） 開關電源
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AI 芯片監管新路徑？解析英偉達 GPU 車隊監控軟件
英偉達推出的可追蹤GPU物理位置的車隊監控軟件備受關注。該軟件聚焦AIGPU集群管理，通過NGC平臺整合數據，實現GPU狀態全方位可視化，能監控核心性能指標，其位置檢測功能為反走私提供了新路徑。但軟件“選擇加入”的模式及僅具備觀察性、無強制干預能力的特點，使其威懾力受限，也引發了行業對工具功...
2025-12-15
AI GPU 英偉達 數據中心遠程監控
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有機基板 + 精簡引腳，SPHBM4 的雙重技術突破
SPHBM4在沿用標準HBM4 DRAM核心層、保障容量擴展能力的基礎上，通過接口基礎裸片的創新性設計實現了關鍵突破——I/O數據引腳數量銳減至標準HBM4的四分之一。依托有機基板替代硅基板、更高工作頻率及4:1串行化技術的協同作用，這款新型內存不僅適配更低凸點間距密度的材料特性，更為提升單一封裝內存堆...
2025-12-12
JEDEC 固態技術協會 SPHBM4 HBM4 封裝 內存
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簡單制勝——第一部分：化繁為簡！BMS秉承簡單制勝原則兼顧效率與成本
在電池管理系統（BMS）設計中，復雜電路與高成本常成為開發瓶頸。本文聚焦于主動均衡技術，提出一套“簡單制勝”的設計原型，在不犧牲性能的前提下，通過精簡結構實現高效能量調配，為工程師提供一種兼具可靠性與實用性的創新解決方案。
2025-12-12
BMS 電池管理系統 電動汽車 儲能系統
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TOLL 封裝賦能 GaN 器件：高壓電源轉換領域的性能突破與設計要點
太陽能發電系統的發展持續攀升，而光伏逆變器的性能表現，正成為行業技術的核心。這類設備的核心設計目標，盡可能利用太陽能資源。在眾多技術突破中，氮化鎵（GaN）材料的應用堪稱關鍵創新。當下，氮化鎵正加速替代傳統的硅（Si）基器件及絕緣柵雙極晶體管（IGBT）系統，成為光伏逆變器領域的新一代...
2025-12-11
氮化鎵（GaN） 碳化硅（SiC） TOLL 封裝
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ADI 系列電源工具深度盤點：硬件工程師的電源設計指南
幾乎所有電子系統的運行都離不開可靠的供電方案。對于硬件工程師而言，電源架構規劃、器件選型、電路優化等環節往往是罪耗費時間精力的。為破解這一痛點，業界經過長期技術沉淀，形成了一套覆蓋電源設計全流程的工具體系。其中，ADI公司推出的系列電源工具尤為突出，這些工具可分為五大類——電源系統...
2025-12-11
ADI 電源工具 電源設計 開關電源 電路仿真
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