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安森美晶閘管浪涌保護器件
本文主要介紹了一種晶閘管浪涌保護器件（TSPD），首先分析得出一個簡單的晶閘管的保護特性是很不對稱的，為具備對稱的過壓保護，提出必須使用兩個反平行的晶閘管來實現，即晶閘管浪涌保護器件（TSPD），接著分析了它的電流-電壓曲線特性，最后舉例說明TSPD有雙向和單向之分。
2008-10-24
晶閘管浪涌保護器件 對稱過壓保護 安森美
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功率器件熱設計及散熱計算
本文主要探討電子設備熱失效的問題，通過對功率器件發熱原理的分析和散熱的計算，得出散熱方式的設計和散熱器的選擇。
2008-10-24
熱設計 功率器件 散熱計算
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軟性印刷電路板將走向良性發展
軟性印刷電路板 (FPC)產業2005、2006年大幅擴產，導致削價競爭嚴重，經過近兩年的調整加上受上半年整體景氣衰退影響，中國大陸不少小型軟板廠陸續倒閉，歐美及日系廠商降低軟板比重，整體產業供給進入穩定狀況。
2008-10-23
軟性印刷電路板 FPC
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PPTC保護器件及其應用
本文主要介紹PPTC保護器件，首先介紹了它的基本原理，然后著重介紹了它在無線電子產品、電池組、充電器、電源轉換器及變壓器中的應用。
2008-10-23
PPTC保護器件 應用
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接地電阻測試儀簡介
本文介紹了接地電阻測試儀，接地電阻測試與發展。
2008-10-23
接地電阻 測試儀 鉗式 測試工具
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在便攜應用中采用TVS二極管進行ESD保護
本文介紹了手機中的ESD保護部分，ESD在設計中的選擇，TVS二極管的優勢、工作原理和基本參數選擇，TVS二極管在超高速數據線路保護中的應用，PCB設計時的考慮。
2008-10-23
ESD TVS二極管 PCB設計
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江西首個多晶硅生產項目在樟樹正式投產
10月23日，引進世界領先技術、一期總投資達5000萬美元，年產多晶硅500噸、三氯氫硅1.6萬噸的江西通能硅材料有限公司多晶硅生產項目在江西樟樹正式投產，這是江西省首個投產的多晶硅生產項目。
2008-10-23
多晶硅 三氯氫硅
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ESD分析工具——傳輸線路脈沖(TLP)
本文主要介紹了一種研究電流和時域ESD事件下的集成電路技術和電路行為的方法——傳輸線路脈沖（TLP），首先闡釋了時域反射TLP系統，接著舉例進一步解釋TLP的使用，最后指明了TLP的多方面用途。
2008-10-23
ESD測試工具 TLP
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SiR476DP/SiR892DP/SiR850DP ：Vishay新型功率MOSFET
日前，Vishay推出一款新型 25V n 通道器件，從而擴展了其 Gen III TrenchFET功率 MOSFET 系列，對于采用 PowerPAK SO-8 封裝類型且具有該額定電壓的器件而言，該器件具有業界最低的導通電阻以及導通電阻與柵極電荷之乘積。
2008-10-23
SiR476DP SiR892DP SiR850DP MOSFET
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