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USB 3.0測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)將于09年6月底出臺(tái)
新一代USB“USB 3.0”的兼容性測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)有望于2009年上半年出臺(tái)。參與測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)制定的美國(guó)安捷倫科技（Agilent Technologies）表示，預(yù)定于09年6月底之前推出“Test Specification 1.0”。這是安捷倫公司的USB應(yīng)用產(chǎn)品經(jīng)理Jim Choate在09年3月6日于東京都內(nèi)舉行的研討會(huì)“USB 3.0―SuperSpeed USB的沖擊”上...
2009-03-12
USB 3.0 測(cè)試儀器
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Si7137DP：Vishay新型P 通道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）發(fā)布采用其新型 p 通道 TrenchFET第三代技術(shù)的首款器件 --- Si7137DP，該 20V p通道 MOSFET 采用 SO-8 封裝，具備業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。
2009-03-12
TrenchFET Si7137DP MOSFET 導(dǎo)通電阻 開(kāi)關(guān)
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中國(guó)版WEEE出臺(tái)：電器廠商成本上升5%
在歐盟《關(guān)于報(bào)廢電子電器設(shè)備指令》(WEEE)全面實(shí)施近三年后，中國(guó)版WEEE出臺(tái)。條例對(duì)制造商有很多保護(hù)措施，而金融危機(jī)的到來(lái)讓該條例正式實(shí)施的時(shí)間推遲到2011年元旦。中國(guó)版的WEEE在多次征求意見(jiàn)和修改后對(duì)生產(chǎn)者采取了優(yōu)惠的政策，但保留了“生產(chǎn)者負(fù)責(zé)制”。該法規(guī)有可能使電器制造商的成本上升5...
2009-03-12
中國(guó)版WEEE WEEE 關(guān)于報(bào)廢電子電器設(shè)備指令 廢棄電器電子產(chǎn)品回收處理管理?xiàng)l例
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中國(guó)電子展推出三大技術(shù)采購(gòu)研討會(huì)：技術(shù)降成本，創(chuàng)新求發(fā)展
中國(guó)電子展推出三大技術(shù)采購(gòu)研討會(huì)：技術(shù)降成本，創(chuàng)新求發(fā)展
2009-03-11
中國(guó)電子展推出三大技術(shù)采購(gòu)研討會(huì)：技術(shù)降成本 創(chuàng)新求發(fā)展
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中國(guó)電子展推出 三大技術(shù)采購(gòu)研討會(huì)
中國(guó)電子展推出 三大技術(shù)采購(gòu)研討會(huì)
2009-03-11
中國(guó)電子展推出 三大技術(shù)采購(gòu)研討會(huì)
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中國(guó)電子展推出 三大技術(shù)采購(gòu)研討會(huì)
中國(guó)電子展推出 三大技術(shù)采購(gòu)研討會(huì)
2009-03-11
中國(guó)電子展推出 三大技術(shù)采購(gòu)研討會(huì)
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中國(guó)電子展推出 三大技術(shù)采購(gòu)研討會(huì)
中國(guó)電子展推出 三大技術(shù)采購(gòu)研討會(huì)
2009-03-11
中國(guó)電子展推出 三大技術(shù)采購(gòu)研討會(huì)
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三大技術(shù)采購(gòu)研討會(huì)：技術(shù)降成本，創(chuàng)新求發(fā)展
三大技術(shù)采購(gòu)研討會(huì)：技術(shù)降成本，創(chuàng)新求發(fā)展
2009-03-11
三大技術(shù)采購(gòu)研討會(huì)：技術(shù)降成本 創(chuàng)新求發(fā)展
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CM1235/6：California Micro Devices兩款最新ESD保護(hù)器件
California Micro Devices宣布 XtremeESD(R) 系列新添兩款 ESD（靜電放電）保護(hù)器件CM1235 和 CM1236。這兩款器件都整合了獲獎(jiǎng)的 PicoGuard XS 架構(gòu)，該架構(gòu)擁有整合的阻抗匹配和更高的 ESD 性能。
2009-03-11
CM1235 CM1236 ESD保護(hù)器件
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